MOSFET
AM4N60RU : TO251 ■High Voltage : BVDSS =600V(Min.) ■Low Crss : Crss 6.3pF(Typ.) ■Low gate charge : Qg=12nC(Typ.) ■Low RDS(on) : RDS(on)=2.1Ω Typ, <2.5 ■Lower EMI noise ■100% Avalanche tested
Comment | Enhancement |
---|---|
Polarity | N |
BVdss (V) | 600 |
Id (A) | 4 |
Rds(on) (Ω) | 2.1 |
Qg (nC) | 12 |
Package | TO251 |
status | Mass |
Cs Cetnter070-4693-2299
인천광역시 미추홀구 경인로 229 인천IT타워 505호(도화동) |
대표이사 : 이용학 |
전화 : 070-4693-2299 |
팩스 : 070-4009-4000 |
이메일 : yhrhee@apsemi.com